诺德AI电子电路铜箔系列丨HVLP铜箔：超低轮廓，赋能AI高频传输

诺德股份HVLP超低轮廓铜箔系列产品已实现全矩阵覆盖，其中HVLP1-HVLP3已批量出货，产业化能力成熟；HVLP4正面向台系及大陆头部CCL/PCB厂商进行批量送样及性能验证；HVLP5已进入研发攻坚阶段。

AI大模型训练集群对服务器主板及高速交换机的信号速率要求已迈入224Gbps/112G PAM4时代，PCIe 5.0/6.0、1.6T及更高速率光模块的普及使高频信号趋肤效应愈发显著。常规或低等级铜箔表面微凸峰（Rz>1.0μm）会引发严重的高频信号散射与插入损耗（Insertion Loss），成为限制AI算力集群信号完整性与传输距离的隐性瓶颈。

为破解高频电路信号传输痛点，诺德股份推出HVLP超低轮廓铜箔系列产品。目前该系列产品已实现全矩阵覆盖，其中HVLP1-HVLP3已批量出货，产业化能力成熟；HVLP4正面向台系及大陆头部CCL/PCB厂商进行批量送样及性能验证；HVLP5已进入研发攻坚阶段，全力赋能国产高端高频材料自主可控，助力AI算力基础材料迭代升级。

在高频应用场景下，铜导体会产生明显的趋肤效应，电流集中富集于导体表层区域传输。当铜箔表面的微观粗糙度与高频信号的有效趋肤深度接近、处于同一数量级时，铜箔表面微小凸起不再只是几何外观，而会直接扰动局部电流传输路径、拉长信号等效传输距离，并带来额外导体损耗和相位变化。

低轮廓铜箔有利于降低高频传输损耗，但粗糙度降低后，铜箔与树脂基材的物理咬合、锚定性能会同步下降，极易出现结合力不足、分层失效等问题。

诺德股份HVLP铜箔核心优势在于通过精密电解沉积与专属表面处理工艺，在亚微米级粗糙度下兼顾信号低损耗传输与可靠树脂结合力，为高频高速电路提供关键导体材料。

特征一：极致平滑的低轮廓表面

通过精密工艺控制，实现表面平整、瘤化颗粒极小，有效缩短信号传输路径，降低传输损耗，显著提升高速信号的完整性。

特征二：卓越的耐热稳定性

引入含镍、锌等元素的耐热合金层，有效阻挡铜原子在高温下迁移氧化。确保产品在多次热压、焊接工艺后，与基材的结合力衰减程度极低，性能稳定可靠。

特征三：增强的化学键合力

利用硅烷偶联剂作为“分子桥梁”，在光滑铜箔表面与树脂基材间形成牢固化学键合，极大提升结合力与耐久性，从根本上防止分层失效风险。

依托超低损耗、高稳定性的综合性能，诺德股份HVLP铜箔精准贴合AI服务器、高速光模块、5G/6G通信高端化演进趋势，广泛适配超高带宽、超低损耗信号传输场景：

• 高端AI服务器与加速卡：GB200/GB300/Rubin架构训练/推理服务器UBB主板、GPU/NPU加速卡载板，适配PCIe 5.0/6.0及224G 产品；

• 超高速光模块与交换机：800G规模部署、1.6T/3.2T光模块线路板、AI数据中心交换机（M9级基板）；

• 先进封装与高端射频：部分高端FCBGA封装基板信号层、毫米波及5G-A/6G通信设备高频板；

•车载与军工高频：77GHz及以上车载毫米波雷达、高端相控阵雷达及卫星通信设备等。

AI算力迭代带来的材料增量，远超行业前期预判。

东吴证券测算，2026年全球AI服务器高端铜箔需求达2.4万吨，同比增长260%；2027年翻番至5万吨；2030年需求将达11万吨以上。

在高端HVLP3+铜箔（含HVLP4）方面，由于良率损耗与产线切换损耗的双重制约，有效供给远低于名义产能，据高盛研究报告测算，2026—2028年高端HVLP3+铜箔供应缺口分别达到28%、39%和38%。

高性能超低轮廓铜箔呈现持续紧缺、“一箔难求”的市场态势，诺德股份HVLP铜箔系列产品放量潜力充足。

HVLP铜箔制备的核心难点在于超平滑表面下维持足够的剥离强度，以及电解沉积阶段纳米级晶粒均匀性控制——这也是海外企业长期以来垄断高端HVLP市场的关键壁垒。诺德股份依托两大省级研究院与自建“鲁班实验室”的研发实力以及三十余年电解铜箔量产积淀，针对性破解行业痛点：

在生箔工艺上：采用低应力微晶导向电解沉积技术与高精度钛阴极辊镜面处理，精准调控铜箔再结晶行为与晶粒尺寸分布，使表面微观峰谷差压缩至亚微米级。诺德股份HVLP4产品的Rz稳定控制于0.52μm以内，Ra典型值约0.15～0.25μm。同时，产品具备与海外标杆竞品同水平的介电常数（Dk）及极低介质散失特性。

在表面处理工艺上：开发专属偶联剂体系与微粗化替代方案，在几乎不抬高轮廓的前提下构建微观化学键合界面，提升与Low-Dk/Df树脂（含PTFE、碳氢、M7～M9级材料）的浸润与锚固能力，保障压合后的抗剥强度与耐热性（无分层、无起泡）。

在品质管控上：核心添加剂自主可控，搭配在线AI视觉检测与MES全流程追溯系统，从生箔至表面处理全线严控针孔、氧化不均等缺陷，稳步对标国际一线高端精密电子基材标准。

诺德股份在电子电路铜箔领域拥有深厚的技术积淀，公司自1992年入局PCB电解铜箔领域，率先实现18μm标准铜箔量产，是国内最早布局电子电路铜箔的企业之一。2022年，公司电子电路铜箔高端专线升级，进一步完善产能结构，支撑RTF、VLP、HVLP及载体铜箔等新一代高端电子电路铜箔研发与规划化量产。

研发端，依托两大省级研究院与自建“鲁班实验室”搭建专业化研发体系，汇聚日韩台行业资深专家团队，构建起体系化、常态化的高端铜箔研发创新机制。生产端，公司将锂电极薄铜箔成熟的超高洁净度生产管控经验，平移应用至高端电子电路铜箔产品生产制造，实现生产工艺、品控标准的全面升级，为高端产品产业化落地筑牢产能与品质根基。

凭借三十余年电解铜箔同源工艺积淀、成熟的量产体系与持续迭代的研发能力，公司已完成“锂电铜箔+高端电子电路铜箔”双箔驱动战略升级。未来，诺德股份将持续深耕高端电子基材领域，紧抓AI算力基础设施国产替代红利，以高性能电子电路铜箔产品赋能高端服务器、高速通信产业高质量发展。