诺德股份半导体封装用极薄载体铜箔NE-UTF-ICP持续深耕技术迭代与工艺升级，积极协同下游封装基板厂商开展联合适配优化，助力国产高端封装材料创新突破与产业升级。
AI大模型对算力芯片I/O密度的要求持续攀升，FCBGA封装基板及Chiplet互联工艺正向超精细线路迈进。传统极薄铜箔（2–5μm）受限于机械强度，在mSAP/SAP半加成法制程中极易出现褶皱、断线或层压翘曲，成为制约高端封装载板良率的关键瓶颈。
依托三十余年铜箔研发与制造技术积淀，诺德股份前瞻布局先进封装基材，于2025年10月份“AI电子铜箔新品发布会”上正式推出半导体封装用极薄载体铜箔NE-UTF-ICP (Nuode Ultra-Thin Foil for IC Package)。产品自发布以来持续深耕技术迭代与工艺升级，积极协同下游封装基板厂商开展联合适配优化，助力国产高端封装材料创新突破与产业升级。
载体铜箔（带载体可剥离极薄铜箔），是适配mSAP/SAP半加成法的高端基材，主要应用于IC载板、高速光模块精密电路布线场景，是超细精密线路制备场景下的优质铜箔材料方案。
诺德股份载体铜箔产品主打1.5–3μm超轻薄有效铜层，采用稳定性优异的“支撑铜箔+分离层+极薄铜箔”复合结构，实现工艺适配性与产品稳定性的双向优化。一方面依托支撑铜箔提供刚性支撑，改善超薄铜箔易变形、易破损的行业共性问题；另一方面通过精准调控分离层，平衡基材结合力度与剥离便捷性，工艺完成后可实现洁净无残留剥离。
同时，产品兼具极低轮廓铜面特性，能有效削弱高频信号趋肤效应，降低高频传输插损，适配高端芯片高频高速的信号传输要求。
极薄载体铜箔的制备，核心难点在于分离层均匀性控制与极薄铜层晶粒精细化调控，也是海外企业长期垄断的核心技术壁垒。诺德股份依托数十年研发积淀与铜箔量产经验，持续优化核心制备工艺，针对性破解行业痛点。
在分离层技术上，通过优化纳米级氧化物/有机复合分离层配方，有效改善行业剥离不均、残留、掉铜等痛点，保障铜层与载体剥离过程平稳、洁净，助力提升后续精密线路制作的工艺稳定性。
在铜层工艺上，采用晶面特定导向技术与低应力电解沉积工艺，精准调控极薄铜层再结晶行为与织构组分，使超薄铜层在高速压合、曝光、显影全流程保持平整无褶皱，剥离后可保留甚低轮廓光洁铜面，当前产品表面粗糙度可稳定控制至Rz＜0.81μm，兼顾良好的延伸率与抗张强度。
此外，公司实现核心制备添加剂自主可控，搭配在线AI视觉检测、MES全流程追溯系统，从原料到量产全程严控品质，稳步对标高端精密电子基材的品质标准。
目前公司已完成产品核心技术研发与中试工作，正面向头部封装基板厂及下游重点客户开展送样验证。
公司极薄载体铜箔产品开发方向聚焦高端封装、高速通信、精密电子等多个高价值场景，贴合先进电子材料产业精细化、高端化发展趋势。
IC封装BT/ABF载板：适配AI算力GPU、CPU、HBM显存、DRAM/NAND存储芯片、手机射频芯片等高端器件的封装基板；
高速光模块：800G规模应用、1.6T/3.2T/6.4T超高速光模块标配，AI数据中心交换机核心基材；
精密PCB与电子设备：旗舰手机SLP板、折叠屏设备、高端服务器主板、5G/毫米波雷达高频板；可穿戴设备、高端测试仪器等微型化精密线路板场景，覆盖多领域高端精密电子需求。
“随着BT载板、1.6T及以上的光模块放量+mSAP工艺渗透率提升，载体铜箔需求端有望快速增长。”（来源：天风证券）
诺德股份NE-UTF-ICP载体铜箔历经多轮技术迭代，持续提升产能性能一致性与稳定性，有望优化超精细线路制备工艺，进一步丰富国内高端封装铜箔材料产品矩阵，助力先进封装材料产业创新升级。
未来，诺德股份将持续深耕电子电路铜箔领域，稳步推进载体铜箔产品的客户送样验证与量产准备，持续打磨高品质电子基材解决方案，赋能AI算力基础设施、先进封装产业高质量发展。
系列预告
本文为诺德股份AI电子电路铜箔系列第一篇，系列后续还将推出RTF反转铜箔、HVLP极低轮廓铜箔、VLP厚铜等，分别聚焦5G/6G高端通信、AI服务器、高功率承载等应用赛道，敬请持续关注。
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